我正在开发一个 nRF52840，它将每 3 小时唤醒一次。我必须将数据（4 个字节）保存到选项卡 [16] 中，以便我可以在 2 天后发送这 16 个值。
不熟悉该部件，但查看参考手册，片上 RAM 是静态的，这意味着只要保持电源供应，即使在睡眠模式或通过重置，它也会保留其值。 您需要设置链接映射和启动代码以避免在启动时初始化保留区域。
或者，256K闪存被分为4K擦除块页面，您可以保留整个页面（即设置链接映射以避免在那里定位代码）。 闪存的耐用性只有 10000 次擦除周期，但即使每两天擦除一次块，它也能持续 >54 年。 由于您正在写入仅 64 字节的数据块，因此您可以通过 4K 按顺序写入这些块，这样最高寻址的 64 字节非空白块就是当前数据；那么您只需在页面完全写满后擦除页面即可，将寿命延长至 3500 年。
但请注意，闪光灯有一些限制：
也就是说，您可以先写 0xFFFFFF00，然后写 0xFFFF00FF，然后该字将包含 0xFFFF0000，但您不能再写该字的高两个字节。
使用代码闪存的另一个问题是，在擦除时，总线停止并且无法获取指令。 这意味着您的代码停止运行。 这种扫描在实时系统中是一个严重的问题；但考虑到您的系统一次休眠 3 小时，大概不存在关键的微秒级计时期限？
部件提供的另一种可能性是 UICR（用户信息配置寄存器），这是一个非易失性存储器的特殊区域，其中包含 32 个字（128 字节）的客户定义数据。 然而，这对于动态存储来说可能不太实用，因为该区域包含 Nordic 保留字和设备配置，并且像常规闪存一样，擦除会删除整个 UICR，因此您必须在擦除之前复制数据并重写它。 并不是真正的断电安全。 耐用性仍然是 10000 次擦除周期，如果像上面那样进行条带化，只有 128 字节就可以将耐用性扩展到 20000 次循环或每 4 天擦除 109 年。
除了这些可能性之外，还有片外 NV 存储设备，例如 EEPROM、FRAM、闪存，甚至 SD/MMC 卡（带有文件系统）。 这些可以通过可用的 SPI、I2C (TWI) 或 QSPI 接口之一进行连接。 虽然可能比片上闪存具有更高的耐用性，但这可能仍然是某些设备的考虑因素。 FRAM 不存在耐用性问题，而且 SD 卡容量很大，因此在所述应用中不太可能成为问题。